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诺思微系统建设亚洲首座具有完整IP的FBAR晶圆厂
诺思（天津）微系统有限公司（以下简称：诺思微系统）的亚洲首座具有完整知识产权（IP）的FBAR晶圆厂，坐落于美丽的渤海之滨天津，厂房和研发中心总占地面积2.7万平方米，总投资金额达到7.5亿元人民币，月产达到50M Pcs。经过诺思微系统人的不懈努力，第一批6英寸FBAR晶圆已于今年正式下线。
FBAR（薄膜体声波谐振器）
FBAR是近些年发展起来的新一代无线射频滤波器、双工器和多工器解决方案，在无线通讯中的应用越来越普遍。采用硅衬底和微机电系统（MEMS）制造技术的FBAR射频滤波器以卓越的性能和微小的器件尺寸受到广泛青睐。
FBAR（薄膜体声波谐振器）
FBAR是近些年发展起来的新一代无线射频滤波器、双工器和多工器解决方案，在无线通讯中的应用越来越普遍。采用硅衬底和微机电系统（MEMS）制造技术的FBAR射频滤波器以卓越的性能和微小的器件尺寸受到广泛青睐。
诺思微系统的6英寸FBAR晶圆生产线与世界接轨，拥有先进的工艺技术及设备，诺思微系统正在天津和南昌建立MEMS产业链，打造中国的“MEMS产业基地”，为全球客户提供基于FBAR技术的射频MEMS方案。
诺思微系统的天津工厂：已投产一条FBAR晶圆生产线和一条工艺研发线。厂房和研发中心总占地面积2.7万平方米。
诺思微系统的南昌工厂：建有两条FBAR晶圆生产线，厂房和研发中心总占地面积5万平方米，预计2018年Q3开始投产。
深入了解晶圆制造过程
诺思微系统的整座晶圆厂是一个高标准的无尘室，为了保持生产环境的绝对洁净，外来的空气必须先经过精细的高效过滤，将比头发丝小50倍的0.1微米的颗粒都挡在洁净室外。无尘室中的温度、湿度、静电、压力、磁场以及震动等都需要严格控制，而制造集成电路所需要的纯水、化学品与气体等，则是从无尘室外围透过纵横分布的管道，直接输送到各类制造设备上。
诺思微系统的RF MEMS产品是通过MEMS技术在半导体晶圆上制作FBAR芯片。如果将一颗芯片放大来看，可以看到微小的芯片由两层芯片键合而成，更微小的主体工作结构-谐振器，就处于芯片之间。
MEMS制作原理与传统的CMOS工艺有很多相似之处，如光刻、薄膜沉积、刻蚀、化学机械抛光工艺等，但是有些复杂的微结构难以用CMOS工艺实现，必须采用MEMS加工技术制造。
MEMS产品制作在硅衬底上，首先将硅从沙中提炼并纯化，经过特殊工艺生产出硅锭，再经切割得到用于制造MEMS芯片的薄硅片。
然后再经过各种清洗、成膜、光刻和刻蚀等工艺，将芯片制造出来。通常制造一个MEMS产品需要十至二十层掩膜，层与层之间的对准必须非常精确。简单地说，相关产品的生产就是把一个个掩膜图形，采用曝光、显影、淀积、刻蚀等工艺把设计图按层复现在晶圆上，加上如牺牲层制作和释放等特殊工艺处理形成微动机构，最后通过减薄等工艺，制造出成品的芯片。
诺思微系统的FABR生产线主要组成部分：光刻区、薄膜区、刻蚀区、减薄区、测量区、晶圆测试区。
新品发布
诺思微系统在2017年10月发布了最新的Wi-Fi滤波器产品RSFP2413E。可在智能手机和物联网应用中大幅提高 Wi-Fi的有效范围和覆盖面积，为消费者、组织和服务供应商提供更多的容量和更高的服务质量。
在今年将出货的超过15亿部带Wi-Fi功能的智能手机中，很大一部分能在采用LTE B7、B38、B40或B41频段的西欧、中国和北美地区使用。这些频段正好处于全球Wi-Fi 频段2400MHz~2483MHz的上下方，需要FBAR滤波器防止Wi-Fi与LTE之间发生干扰。
RSFP2413E提供更加陡峭的滚降，在LTE 7频段、38频段和41频段的抑制的典型值大于44dB，在LTE 40频段的带外抑制的典型值大于48dB。对邻近LTE频段高的带外抑制使得在同一个模块或相邻很近的两个模块中Wi-Fi和LTE信号共存成为可能。
相比上一代产品RSFP2412E，最新的RSFP2413E在插损、收敛、抑制等方面综合性能提升超过15%。
截止目前，诺思已经为客户提供最高频率为8500MHz的滤波器产品，并对5G频段进行了相关频段产品预开发准备。 在工业与信息化部关于5G频段使用相关事宜的指导意见指引下，诺思在3300-3400MHz、3400-3600MHz和4800-5000MHz的滤波器产品正式进入设计及流片阶段，并计划在2018年Q1向合作伙伴提供测试样品。
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